EST883B靜電放電模擬器介紹:
HBM/MM/CDM,0~±20kV
二極管、三極管和IC的HBM/MM/CDM ESD測試
電子元器件靜電放電敏感度分類試驗專用
一、EST883B靜電放電模擬器概述
二極管、三極管和集成電路等電子元器件靜電放電敏感度要用國際先進水平的EST883靜電放電模擬器,它是是專門為測量元器件的靜電放電模擬器,它輸出電壓范圍寬(0~±20kV),精度高(1%),分辨率高(10V),其輸出電壓和波形符合以下國際和國家標準:
美國軍用標準MIL-STD-883E/F方法3015、MIL-STD-750 方法1020、MIL-PRP-19500、 MIL-PRP-38535
國家軍標GJB548A-97 方法3015 微電子器件試驗方法和程序 靜電放電敏感度分類標準要求(等同于美國軍標MIL-STD-883E)
國家軍標 GJB1649-93電子產(chǎn)器防靜電放電控制大綱
國家軍標 GJB128A 半導體分立器件試驗方法 靜電放電敏感度分類
國際ESD協(xié)會標準ANSI/ESD STM 5.1-2001, ANSI/ESD STM 5.2-2001,ANSI/ESD STM 5.3-2001
美國軍用標準、MIL-STD-750和IEC747-1
EST883B靜電放電模擬器,測試能力:2~2400pins 從二極管、三極管到各種IC,核心技術(shù)和器件從美國引進,使您不但能得到技術(shù)水平優(yōu)于或達到國際先進水平的靜電放電模擬器,還能得到國際iNARTE(原美國NARTE)靜電與電磁兼容咨詢專家(Professional EMC/ESD Consultant)提供的免費技術(shù)咨詢和技術(shù)支持,是國內(nèi)外目前性能價格比和技術(shù)支持最優(yōu)的靜電放電模擬器。
二、EST883B靜電放電模擬器技術(shù)指標
測試能力:2~2400pins 從各類(發(fā)光)二極管、三極管到各種IC,內(nèi)置試驗板(IC test board)
放電網(wǎng)絡:
HBM MM CDM 符合標準
儲能電容/
放電電阻R(注) 100 pF/1500 Ω (HBM) 200pF/0Ω (MM) ESDA/JEDEC MIL/ESDA/JEDEC/JEITA
充電電阻(注): 106~107Ω
輸出電壓: 0 ~ ±20KV(標稱值)連續(xù)可調(diào)
模擬器內(nèi)置4個級別試驗電壓
輸出電壓示值的容許偏差: <±1% (0~ ±20KV)
輸出電壓穩(wěn)定性: 0.5% (24小時)
電壓顯示:3 1/2位發(fā)光管時顯示,電壓顯示分辨率:10V
輸出電壓極性:正和負極性(可帶電直接切換)
放電電流波形:
Tri(上升時間):小于10ns
Tdi(衰減時間):150±20ns
Ip(峰值電流):見表1中所選電壓等級對應的Ip±10%內(nèi)
Ir(振蕩電流):小于Ip的15%,脈沖100ns后觀察不到
HBM MM CDM
(MIL-STD-883E和GJB548A-97 方法3015)
放電操作方式:手動單次放電,自動連續(xù):1~10秒一次連續(xù)可調(diào)
工作環(huán)境: 溫度5-40℃;相對濕度20-80%,無凝露;氣壓68-106kPa
供電: AC85V~260V, 50/60Hz