“單線光譜”吸收技術(shù)避免背景氣體干擾、檢測下限低、量程漂移小;
220℃以上伴熱避免銨鹽結(jié)晶及水份吸收;
結(jié)構(gòu)緊湊、便于安裝.自動化程度高、維護量?。?/span>
多參數(shù)集成于同一系統(tǒng),同時測量,成本低。
測量方法: | 可調(diào)諧半導體激光吸收光譜(TDLAS)+紫外差分吸收光譜(DOAS)+ 氧化鋯 |
測量組分及量程: | ? |
NH3: | 0~10ppm~1000ppm |
NOX: | 0~50ppm~5000ppm |
O2: | 0~25% |
線性誤差: | ≤±1%F.S. |
重復性: | ≤±0.5%F.S. |
響應(yīng)時間: | ≤100s(T90) |
零點漂移: | ≤±1%F.S./半年 |
量程漂移: | ≤±1%F.S./半年 |
防護等級: | IP65 |
模擬量輸出: | 4路4-20mA輸出 |
模擬量輸入: | 2路4-20mA輸入 |
數(shù)字通訊: | RS485/RS232/GPRS |
檢測下限: | 0.1ppm( 10m光程) |
吹掃氣源: | 0.4~0.8 MPa氮氣、凈化儀表,空氣 |