少子壽命儀
特點
1. 非接觸,無損的半導體電子特性表征
2. 作為單點測量的臺式儀器或作為硅片生產(chǎn)線上的高速測量部件
3. 可用于單個硅片的研發(fā)測量
4. 測量時間少于么個硅片1特點
5. 測量少子壽命,光電導率,電阻率(可選)
6. 高靈敏度,可視化微小損傷
樣品
可測樣品 未加工多晶硅片,任意尺寸硅片,晶圓片,硅錠,電池片
樣品尺寸 任意尺寸,不小于10 x 10
電阻率 0.1- Ohm cm
電導類型 P,N
可測材料 硅片,外延層,部分或完全處理的晶圓,化合物半導體
可測參數(shù) 少子壽命(穩(wěn)定態(tài)或非平衡態(tài)(μ-PCD)可選)
光電導率(穩(wěn)態(tài))->擴散長度
壽命范圍 0.1μs-100ms
激發(fā)功率 缺省值雙激光,980nm缺省值
測量點 缺省直徑0.5mm
測量時間 小于1秒
儀器尺寸 300x240x240mm