1．  特征X射線的產(chǎn)生   

特征X射線的產(chǎn)生是入射電子使內(nèi)層電子激發(fā)而發(fā)生的現(xiàn)象。即內(nèi)殼層電子被轟擊后跳到比費(fèi)米能高的能級(jí)上，電子軌道內(nèi)出現(xiàn)的空位被外殼層軌道的電子填入時(shí)，作為多余的能量放出的就是特征X 射線。高能級(jí)的電子落入空位時(shí)，要遵從所謂的選擇規(guī)則，只允許滿足軌道量子數(shù)l 的變化Δl＝±1 的特定躍遷。特征X 射線具有元素固有的能量，所以，將它們展開成能譜后，根據(jù)它的能量值就可以確定元素的種類，而且根據(jù)譜的強(qiáng)度分析就可以確定其含量。

另外，從空位在內(nèi)殼層形成的激發(fā)狀態(tài)變到基態(tài)的過程中，除產(chǎn)生X射線外，還放出俄歇電子。一般來說，隨著原子序數(shù)增加，X射線產(chǎn)生的幾率（熒光產(chǎn)額）增大，但是，與它相伴的俄歇電子的產(chǎn)生幾率卻減小。因此，在分析試樣中的微量雜質(zhì)元素時(shí)可以說，EDS 對(duì)重元素的分析特別有效。

2．  X射線探測(cè)器的種類和原理     

 對(duì)于試樣產(chǎn)生的特征X 射線，有兩種展成譜的方法：X 射線能量色散譜方法和X射線波長色散譜方法。在分析電子顯微鏡中均采用探測(cè)率高的EDS。從試樣產(chǎn)生的X 射線通過測(cè)角臺(tái)進(jìn)入到探測(cè)器中。