北京中儀 提供少子壽命測試儀使用方法,滿足你不同地點的使用需求。
·該儀器參考美國 A.S.T.M 標準而設計的用于測量硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命
·測試單晶電阻率范圍: >0.3Ω.cm
·可測單晶少子壽命范圍: 1μS~10000μS
·配備光源類型:紅外光源,波長:1.09μm
·余輝<1 μS;閃光頻率為:20~30次/秒
·前置放大器:放大倍數(shù)約25
·測量方式:采用對標準曲線讀數(shù)方式
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顯示類型 | 數(shù)字電路、高頻光電導衰減法 |
使用行業(yè)范圍 | 集成電路級硅單晶在內(nèi)的各種類型硅單晶,以及經(jīng)熱處理后壽命驟降的硅單晶、多晶磷檢棒的壽命測量等 |
測試材料 | 集成電路級硅單晶、經(jīng)熱處理后壽命驟降的硅單晶、多晶磷檢棒 |
壽命范圍 | 1μS~10000μS |
電阻率范圍 | ρ>0.3Ω.cm |
備注 | 1.配備光源類型:紅外光源,波長:1.09μm;余輝小于1 μS;2.閃光頻率為:20~30次/秒;3.前置放大器:放大倍數(shù)約25;4.測量方式:采用對標準曲線讀數(shù)方式 |